삼성전자 HBM5 목업 공개, SK하이닉스는 생산 2배 계획

삼성전자는 6월 2일 타이베이에서 열린 컴퓨텍스 2026 부스에서 8세대 고대역폭 메모리(HBM5)의 첫 실물 목업을 공개했습니다. 송재혁 삼성전자 DS부문 CTO는 현장에서 HBM5 목업을 선보였다고 발표했습니다. 회사는 HBM4 양산 출하와 HBM4E 샘플 공급 실적을 바탕으로 HBM5까지 선보였다고 밝혔습니다.

이번 HBM5에는 차세대 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)가 처음 적용된 것이 특징입니다. HPB는 메모리 성능을 높이는 과정에서 발생하는 열을 관리하기 위한 기술입니다. 삼성전자는 HBM4E를 기반으로 HPB 구현과 검증을 마친 상태라고 했습니다.

같은 행사에서 SK하이닉스는 웨이퍼 생산량을 2배로 늘리겠다고 발표했습니다. 회사는 생산 확대 계획을 언급하며 시장 장악력 강화를 목표로 한다고 설명했습니다. SK하이닉스의 구체적 투자 일정과 설비 증설 계획도 공개했습니다.

삼성전자는 HBM5 설계에서 별도의 열전달 경로를 추가해 열 저항을 낮췄다고 밝혔습니다. 발표 자료에는 베이스다이가 2나노미터 공정 기반이라는 설명이 포함됐습니다. 회사는 열관리 기술 적용으로 성능 고도화를 추진한다고 전했습니다.

이번 컴퓨텍스에서 두 회사는 기술(삼성전자)과 생산 확대(SK하이닉스)라는 상이한 전략을 동시에 제시했습니다. 양측 발표는 차세대 AI 메모리 경쟁의 다음 단계를 보여준다고 회사들은 전했습니다. 행사 현장에서는 관련 제품과 계획에 대한 설명이 이어졌습니다.