La posición del ETF DRAM de Roundhill, en entredicho por la cotización de SK hynix en Estados Unidos

Se ha señalado que el ETF de Memoria de Roundhill (DRAM) podría perder competitividad debido a la cotización de SK hynix en Estados Unidos. Barchart consideró el 7 mes 10 día que la única ventaja de este ETF era ofrecer a los inversores estadounidenses una oportunidad poco habitual de acceder a SK hynix.

Barchart explicó que, antes del lanzamiento del ETF, los inversores estadounidenses tenían muy pocas opciones para invertir directamente en chips de memoria de alto ancho de banda (HBM). Hasta entonces, dijo, solo podían invertir en la empresa estadounidense Micron o abrir cuentas complejas en el extranjero para comprar Samsung Electronics y SK hynix.

El ETF DRAM de Roundhill es un fondo cotizado compuesto por valores de empresas de semiconductores de memoria. Según la evaluación, si la cotización de SK hynix en Estados Unidos se hace realidad, podría aumentar la demanda de compras directas por parte de los inversores estadounidenses y reducir el atractivo del ETF.

Según el artículo, esta evaluación se basa en la premisa de que el «acceso indirecto al mercado estadounidense» que ofrecían los ETF constituía su valor fundamental. Las declaraciones realizadas hasta ahora son opiniones de análisis de mercado, y es necesario verificar por separado el anuncio oficial de la empresa.