GaN 반도체란? 정의와 SiC와의 관계, 정부가 말한 개발 방향
산업부 정의에 따르면 GaN은 SiC와 함께 고온·고전압·고주파에서 실리콘 대비 성능이 우수한 차세대 전력반도체 소재로 묶인다.
GaN(질화갈륨) 반도체는 전력반도체 분야에서 ‘차세대 전력반도체’에 포함되는 소재 기반 반도체로 설명된다. 산업통상자원부는 차세대 전력반도체를 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고전압·고주파 환경에서 성능이 우수한 SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 같은 소재를 활용하는 반도체로 정의하고 있다. 산업통상부는 차세대 전력반도체를 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고전압·고주파 환경에서 성능이 우수한 SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 소재 등을 활용하는 반도체로 정의하고 있다. 산업통상부 보도자료
이 정의에 따르면 GaN은 SiC와 함께 ‘실리콘을 대체·보완하는 전력반도체용 소재’라는 같은 범주에 놓인다. 다만 여기서 확인되는 내용은 두 소재가 공통으로 ‘고온·고전압·고주파 환경에서 실리콘 대비 성능이 우수한 차세대 전력반도체’로 묶인다는 점까지이며, 어떤 응용처에서 어느 쪽이 더 유리한지 같은 세부 비교는 이 자료만으로 단정할 수 없다.
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정책 측면에서 산업통상자원부는 화합물 반도체로서 GaN·SiC를 함께 묶어 중점 개발 과제로 추진하겠다는 입장을 밝힌 바 있다. 산업통상부 최우혁 첨단산업정책관은 화합물 반도체(GaN·SiC)를 중점 개발 과제로 추진하겠다고 밝혔다. 산업통상부 최우혁 첨단산업정책관은 화합물 반도체(GaN·SiC)를 중점 개발 과제로 추진하겠다고 밝혔다. 산업통상부 보도자료
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자주 묻는 질문
GaN 반도체는 무엇으로 정의되나?
산업통상자원부는 GaN을 SiC 등과 함께 실리콘 대비 고온·고전압·고주파 환경에서 성능이 우수한 차세대 전력반도체 소재로 정의한다.
정부가 GaN 반도체를 어떻게 추진하겠다고 했나?
산업통상부 최우혁 첨단산업정책관은 화합물 반도체(GaN·SiC)를 중점 개발 과제로 추진하겠다고 밝혔다.
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