화합물 반도체란? SiC·GaN 등 차세대 전력반도체 정의

화합물 반도체는 SiC·GaN 등 화합물 소재를 활용해 고온·고전압·고주파에서 성능이 우수한 차세대 전력반도체를 말한다.
화합물 반도체는 산업통상부 기준으로, 차세대 전력반도체 가운데 Si(실리콘) 대비 고온·고전압·고주파 환경에서 성능이 우수한 SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등 화합물 소재를 활용한 반도체를 뜻한다. 산업통상부는 차세대 전력반도체를 Si(실리콘) 대비 고온·고전압·고주파 환경에서 성능이 우수한 SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등 화합물 소재를 활용한 반도체로 정의한다. 산업통상부 보도자료
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따라서 독자가 말하는 ‘화합물 반도체’는 통상 SiC·GaN처럼 단일 원소인 실리콘이 아니라 화합물 소재를 기반으로, 특정 구동 환경(고온·고전압·고주파)에서의 성능 우위를 특징으로 삼는 전력반도체 범주로 이해할 수 있다.
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자주 묻는 질문
화합물 반도체에 SiC와 GaN이 포함되나요?
산업통상부는 SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등 화합물 소재를 활용한 반도체를 차세대 전력반도체로 정의한다.


















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